BARITT-Diode

Die BARITT-Diode (englisch: barrier injection transit-time) ist ein Hochfrequenz-Halbleiter-Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Ein verwandtes Bauteil ist die DOVETT-Diode. Die BARITT-Diode nutzt Injektions- und Transitzeit-Eigenschaften von Minoritätsladungsträgern, um einen negativen Widerstand bei Mikrowellen-Frequenzen zu erzeugen. Über die in Vorwärtsrichtung vorgespannte Grenzschicht werden die Minoritätsladungsträger injiziert. Es findet kein Lawinen-Durchbruch statt. Folglich ist sowohl die Phasenverschiebung als auch die Ausgangsleistung wesentlich geringer als bei einer IMPATT-Diode.

Literatur

  • S. M. Sze: Physics o Semiconductor Devices. second edition. John Wiley & Sons. 613-625 (1981), ISBN 0-471-05661-8
  • M. S. Tyagi: Introduction to Semiconductor Materials and Devices. John Wiley & Sons. 323-333 (1991), ISBN 0-471-60560-3

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