Basisschaltung

Die Grundschaltungen eines Verstärkers sind nach der Elektrode benannt, welche auf einem fest definierten Potential liegt. Im Falle eines Bipolartransistors ergeben sich so die Emitterschaltung, die Kollektorschaltung und die Basisschaltung. Die Transistor-Grundschaltungen unterscheiden sich in den elektrischen Eigenschaften und daher im Verwendungszweck. Analog sind die entsprechenden Schaltungen auch mit Feldeffekttransistoren (als Source-Schaltung, Drain-Schaltung/Source-Folger und Gate-Schaltung) realisierbar.

Bei Trioden und anderen Elektronenröhren heißt das Analogon zur Basisschaltung Gitterbasisschaltung, das Analogon zur Emitterschaltung heißt Kathodenbasisschaltung, das Analogon zum Emitterfolger (Kollektorschaltung) heißt Kathodenfolger oder Anodenbasisschaltung.

Inhaltsverzeichnis

Übersicht

Die Schaltungen werden üblicherweise wie im nachfolgenden Bild in der oberen Reihe dargestellt, um die jeweils gemeinsame Elektrode zu verdeutlichen. Die Funktionsweise wird allerdings deutlicher, wenn man die Schaltungen gemäß der unteren Reihe umzeichnet.

Die oben genannten Methode zur Ermittlung der jeweiligen Grundschaltung ist nicht immer streng erfüllt, so dass ein weiteres Kriterium angewendet werden muss:

„Die Bezeichnung der Grundschaltung erfolgt entsprechend dem Anschluss des Transistors, an welchem kein Ein- und Ausgang anliegt.“

Emitterschaltung

Abb. 1: Verstärker in Emitterschaltung
Rauscharme Emitterschaltung mit Spannungsgegenkopplung (Stromspiegel als Stromquelle)

Sie entspricht der normalen Funktionsweise eines Bipolartransistors. C1 und C2 blockieren die Gleichspannungsanteile an Ein- und Ausgang. Mit den Widerständen R1 und R2 wird der Arbeitspunkt festgelegt. Der Basis-Emitter-Strom steuert den um den Stromverstärkungsfaktor β größeren Kollektor-Emitter-Strom. Der Eingangswiderstand ist klein und entspricht (R_1 \| R_2 )\| (r_{BE}+B\cdot R_E).(Wenn C3 vorhanden ist, dann ist Re = rBE). Der Ausgangswiderstand ist die Parallelschaltung aus dem Arbeitswiderstand R3 und dem Kollektor-Emitter-Widerstand rCE (dieser ist in der Regel \gg R_3). Die Spannungsverstärkung ist bei fehlendem C3 das Verhältnis von R3 und R4, ansonsten ist sie vom Transistortyp und der Temperatur abhängig. Der Emitterstrom ist gleich dem Kollektorstrom und dem Basisstrom.

Dimensionierung der Bauelemente

Die Spannung an R4 sollte etwa 0,6 V betragen, die Spannung an R2 also 1,2 V. R3 soll so groß sein, dass die Spannung am Kollektor recht genau halb so groß ist wie die Betriebsspannung Ucc , weil dann beide Halbwellen ihren maximalen Wert erreichen können. Die Schaltung im nebenstehenden Bild besitzt keine Wechselstrom-Gegenkopplung und verzerrt deshalb das Signal. Das lässt sich durch einen kleinen Widerstand von etwa 100 Ω in Reihe zu C3 deutlich verbessern. Allerdings sinkt dadurch auch die Verstärkung.

Daten

  • Invertierung des Eingangssignals (entspricht Phasendrehung um 180°)
  • Stromverstärkung hoch
  • Spannungsverstärkung hoch
  • Leistungsverstärkung ca. 100–1000, etwa Spannungsverstärkung × Stromverstärkung
  • Eingangswiderstand: 500 Ω–2 kΩ
  • Ausgangswiderstand: 50–100 kΩ bzw. etwa gleich dem Arbeitswiderstand R3
  • verzerrungsarme Verstärkung nur für sehr kleine Eingangsspannungen: wenn C3 vorhanden <0,001 V, ansonsten abhängig vom Verhältnis \frac{R_3}{R_4}

Einsatzgebiete

Die Emitterschaltung wird in vielen Bereichen der Elektronik eingesetzt, zum Beispiel in Kleinsignal-Verstärkern und elektronischen Schaltern. Eine Emitterschaltung mit nachfolgender Basisschaltung ergibt einen Kaskodeverstärker, bei dem der Eingangswiderstand niedrig und der Ausgangswiderstand sehr hoch ist. Diese Schaltung hat besonders geringe Rückwirkungen und ist deshalb für HF-Anwendungen geeignet.

Stabilisierung des Arbeitspunktes

Abb. 2: Gleichspannungsgegenkopplung
  • Stabilisierung durch Emitterwiderstand beziehungsweise Gleichstromgegenkopplung (siehe Abb. 1)
Der Transistor erwärmt sich im Betrieb, dadurch wird er leitender und es fließt ein größerer Kollektorstrom. Der größere Kollektorstrom bewirkt einen größeren Spannungsabfall am Emitterwiderstand R4. Die Basis-Emitterspannung nimmt ab und der Transistor sperrt mehr.
  • Gleichspannungsgegenkopplung (siehe Abb. 2)
Bei Zunahme des Kollektorstromes durch Eigenerwärmung des Transistors fällt mehr Spannung am Widerstand Rc ab. Dadurch wird die Basis-Emitterspannung und Kollektor-Emitterspannung kleiner. Der Transistor sperrt mehr und der Kollektorstrom wird kleiner.


Kollektorschaltung (Emitterfolger)

Abb. 3: Verstärker in Kollektorschaltung

Die Spannungsquelle soll für das Signal keinen Widerstand besitzen (gegebenenfalls einen Kondensator parallel schalten), daher ist der Kollektor auf einem konstanten Spannungsniveau. In der Schaltung fließt ein kleiner Basis-Emitter-Strom und steuert einen größeren Kollektor-Emitter-Strom. Dieser wird vom Arbeitswiderstand R3 bestimmt; an ihm liegt eine Spannung Ua = UeUbe mit der Eingangsspannung Ue und der Basis-Emitter-Spannung Ube von circa 0,7 V.

Die Ausgangsspannung am Emitter folgt daher annähernd der Eingangsspannung, weshalb man auch von einer Emitterfolgerschaltung spricht. Da der Strom durch den Arbeitswiderstand am Eingang um den Faktor der Stromverstärkung verringert erscheint, ist die Eingangsimpedanz einer Emitterfolgerschaltung sehr hoch, die Spannungsverstärkung ist etwa 1. Dies macht die Schaltung zu einem Impedanzwandler.

Dimensionierung der Bauelemente

Die Spannung an R3 sollte recht genau halb so groß sein wie die Betriebsspannung Ucc, weil dann beide Halbwellen ihren maximalen Wert erreichen können. Das erreicht man, wenn R1 und R2 gleich groß sind.

Daten

  • Nicht-invertierend
  • Spannungsverstärkung nahezu 1
  • Stromverstärkung hoch
  • Leistungsverstärkung nahezu gleich der Stromverstärkung
  • Eingangswiderstand groß: 3 kΩ–1 MΩ (Lastwiderstand × Stromverstärkung)
  • Ausgangswiderstand klein: 0,5–30 Ω
  • verzerrungsfreie Übertragung für Eingangsspannungen bis zur Versorgungsspannung

Einsatzgebiete

Impedanzwandler, z. B. für Kristall-Tonabnehmer und Piezo-Schallaufnehmer, in Kondensator- und Elektret-Mikrofonen, als Vorstufe der Darlington-Schaltung (hier ist die Last die Basis der Ausgangsstufe) und vieler Audioverstärker-Endstufen.


Basisschaltung

Sie entspricht der Emitterschaltung, jedoch liegt die Basis auf Masse oder einer konstanten Spannung und der Emitter-Strom muss auch durch die Signalquelle fließen. Dies macht die Stromverstärkung zu 1. Der Eingangswiderstand ist sehr klein, da der gesamte Laststrom sowie der Basisstrom von der Quelle aufgebracht werden muss. Der Ausgangswiderstand und die Spannungsverstärkung entsprechen der Emitterschaltung.

Daten

Abb. 4: Verstärker in Basisschaltung
  • Nicht-invertierend
  • Stromverstärkung geringfügig unter 1
  • Spannungsverstärkung hoch
  • Leistungsverstärkung ca. 1000
    • => Spannungsverstärkung
  • Spannungsverstärkung 5 % bis 10 % größer als bei der Emitterschaltung
  • Eingangswiderstand klein: 25–500 Ω
  • Ausgangswiderstand groß: 100 kΩ–1 MΩ
  • höhere Grenzfrequenz durch geringere Rückwirkung
  • verzerrungsfreie Verstärkung für Eingangsspannungen bis zu einem Zehntel der Versorgungsspannung

Einsatzgebiete

  • HF-Stufen
  • HF-Oszillatoren ab ca. 50 MHz


Kombinationen

Durch Kombinationen aus den Grundschaltungen ergeben sich folgende Schaltungen:

  • Parallelschaltung: mehrere Transistoren sind parallelgeschaltet, bei Bipolartransistoren benötigt jedoch jeder einen eigenen Emitterwiderstand, um die Stromaufteilung zu sichern (nicht erforderlich bei MOSFET und IGBT)
  • Kaskadenschaltung; Reihenschaltung mehrerer Transistoren in Emitterschaltung, die Sperrspannungen addieren sich, jeder Transistor benötigt eine eigene, potentialgetrennte Basisansteuerung
  • Kaskode: Emitterschaltung (unten) und Basisschaltung (darüber) in Serie
  • Transistor-Transistor-Logik-Inverter: Basisschaltung mit darauffolgender Emitterschaltung.
  • Darlington-Schaltung. Zwei Transistoren in Kollektorschaltung hintereinander; die Basis des zweiten ist die Last des ersten, sie teilen sich die Spannung zwischen Basis 1 und Emitter 2. Die Darlington-Schaltung kann ihrerseits wie ein Transistor für hohe Stromverstärkung eingesetzt werden, es werden auch integrierte Darlington Transistoren gefertigt
  • Thyristor“-Schaltung oder Astabiler Multivibrator: Zwei Emitterschaltungen mit Rückkopplung.

In der TTL-Technik werden zwei Transistoren in einer Halbbrückenanordnung betrieben, der untere in Emitter-, der obere in Kollektorschaltung.

Beim Stromspiegel arbeitet der 2. Transistor in Emitterschaltung, der erste stellt genau die Spannung an der Basis des zweiten bereit, dass dessen Kollektorstrom dem Eingangsstrom gleicht; Einsatz als steuerbare Stromquelle.

Beim Differenz-Eingang, z. B. eines Operationsverstärkers, wirkt jeder der beiden Eingänge als Emitterschaltung (invertierend) auf die ihm zugeordnete nächste Stufe, jedoch als Folge aus Kollektorschaltung und Basisschaltung auf den anderen Ausgang.

Literatur und Quellen

  • Hans-Joachim Fischer, Wolfgang E. Schlegel: Transistor- und Schaltkreistechnik. Militärverlag der DDR, Berlin 1988, ISBN 3-327-00362-9. 
  • Rainer Funke, Siegfried Liebscher: Grundschaltungen der Elektronik. Verl. Technik, Berlin 1975. 
  • Johann Siegl: Schaltungstechnik – Analog und gemischt analog/digital: Entwicklungsmethodik, Verstärkertechnik, Funktionsprimitive von Schaltkreisen. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg 2005, ISBN 978-3-540-27515-2 (doi:10.1007/3-540-27515-0) (Stand: 2008-02-07). 
  • Stefan Goßner: Grundlagen der Elektronik, 7. Auflage. Shaker-Verlag, Aachen 2008, ISBN 978-3-8265-8825-9. 

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