AMR-Effekt

Der Anisotrope Magnetoresistive Effekt, kurz AMR–Effekt, ist der am längsten bekannte magnetoresistive Effekt und wurde 1857 durch William Thomson, 1. Baron Kelvin entdeckt. Er beruht auf anisotroper (von der Raumrichtung abhängiger) Streuung in ferromagnetischen Metallen. Das heißt, er tritt in Materialien auf, die eine eigene Magnetisierung aufweisen.

Inhaltsverzeichnis

Beobachtungen

Besonders gut lässt sich der Effekt beobachten in einer dünnen (ca. 20 nm) Schicht aus sogenanntem Permalloy. Das ist eine Legierung aus Nickel (81 %) und Eisen (19 %). Es lässt sich feststellen, dass der elektrische Widerstand der Schicht abhängig vom äußeren Magnetfeld ist. Weiterhin kann man beobachten, dass nur Magnetfeldkomponenten in der Schichtebene einen merklichen Einfluss auf den Widerstand haben. Der elektrische Widerstand ist am größten, wenn das äußere Magnetfeld in der Stromrichtung oder gegen die Stromrichtung gerichtet ist. Am kleinsten ist der Widerstand, wenn das äußere Magnetfeld senkrecht zur Stromrichtung in der Schichtebene gerichtet ist.

Der Effekt wird auf eine Verzerrung der Atomorbitale durch die Spin-Ausrichtung im Magnetfeld zurückgeführt. Dadurch ändert sich deren Streuquerschnitt für Leitungselektronen und damit der Widerstand.

Beschreibung des Effekts

Betrachtet wird eine Probe eines ferromagnetischen Materialquaders für den gilt: Länge >> Breite >> Dicke. Der betrachtete Stromdichtevektor und der Magnetfeldvektor liegen in der Ebene, die durch Länge und Breite aufgespannt werden.

Ein von außen auf das Material wirkendes Magnetfeld dreht die interne Magnetisierung der Weiß-Bezirke des Materials so, dass diese sich mit steigender Magnetfeldstärke immer mehr an dem äußeren Feld orientieren. Ist die Feldstärke des äußeren Felds stark genug so ist die Orientierung der internen Magnetisierung und des äußeren Feldes gleich.

Nun kommt es darauf an, wie der Stromdichtevektor des durch das Material fließenden Stroms und der Magnetfeldvektor der internen Magnetisierung zueinander stehen. Stehen sie senkrecht aufeinander, so ist der Widerstand des Materials minimal, sind sie parallel zueinander so ist der Widerstand maximal.

Der sich ergebene Widerstand lautet : R = R_\parallel - \Delta R_\mathrm{max} \cdot \sin^2(\Theta_{JM}), wobei \Delta R_\mathrm{max} = R_\parallel - R_\perp

R_\parallel ist der Widerstand falls beide Vektoren parallel sind, R_\perp ist der Widerstand falls beide Vektoren senkrecht zueinander sind.

Wie man aus der Gleichung erkennt, kann man anhand des Widerstands zwar den Betrag des Winkels bestimmen, aber nicht dessen Vorzeichen. Mögliche Werte liegen im Bereich zwischen \Theta_{JM} =-90^\circ und \Theta_{JM} =+90^\circ.

Um dieses Problem zu beheben ist für Sensoren die sog. Barberpole-Anordnung entwickelt worden (benannt nach den bekannten sich drehenden Dekorationszylindern mit einem durchgehenden Querstreifen). Dabei werden auf das magnetische Material (z.B. Permalloy) im Winkel von 45 Grad Leiterstreifen aus Gold oder Aluminium angebracht. Mit ihrer Hilfe kann man im Intervall zwischen -45° und +45° den Winkel genau bestimmen. Ein weiterer Vorteil der Barberpole-Anordnung ist, dass sie für kleine Winkeländerungen um die 0° nahezu lineares Verhalten aufweist.

Kommerzielle Verwendung

AMR wird vor allem bei Leseköpfen (seit 1990) in Computerfestplatten angewendet, aber auch bei MRAM–Chips (Magneto-resistive Random Access Memory) für die Raumfahrt. In günstigen Fällen liegt die Effektgröße ∆R/R zwischen 3 und 4 % und ist daher zu klein für die Massenproduktion kostengünstiger MRAM–Speicher.

Magnetoresistive Sensoren unter Nutzung des anisotropen magnetoresistiven Effekts (AMR-Effekts) werden sowohl in der Automobilindustrie [1] als auch im industriellen Bereich und der Unterhaltungsindustrie eingesetzt. Die Messaufgaben reichen von Feldmessungen und Kompassanwendungen über Längen- und Winkelmessung bis zur Stromsensorik.

Mit modernen Sensoren aus schmalen Streifen dieser Permalloyschichten, die zu einer Wheatstonebrücke verschaltet werden, lassen sich Magnetfelder der Größenordnung 0,01 A/m detektieren.

Siehe auch

Einzelnachweise

  1. Magnetische Sensoren auf Basis des AMR-Effektes

Weblinks


Wikimedia Foundation.

Schlagen Sie auch in anderen Wörterbüchern nach:

  • AMR —   [Abk. für Anisotrope Magnetoresistive, dt. »anisotrop magnetoresistiv(er Effekt)«], Prozess, in dessen Verlauf elektrische Leiter ihren Widerstand durch Magnetisierung ändern. Die Größe des Widerstands verändert sich dabei mit der… …   Universal-Lexikon

  • Amr — Die Abkürzung AMR steht für: Adaptive Multi Rate ist ein Set von Sprachcodecs, die u. a. im Mobilfunk eingesetzt werden den anisotropen magnetoresistiven Effekt, siehe AMR Effekt Arzneimittelrichtlinie Audio Modem Riser, Erweiterungsschnittstelle …   Deutsch Wikipedia

  • ʿAmr Ibn-Baḥr al-Ǧāḥiẓ — al Dschahiz (* 776 Basra; † Dezember 868 oder Januar 869; arabisch ‏الجاحظ‎, DMG al Ǧāḥiẓ), eigentlich Abu Uthman Amr ibn Bahr Mahbun al Kinani al Lithi al Basri / ‏أبو عثمان عمرو بن بحر محبوب الكناني الليثي البصري‎ / Abū ʿUṯmān ʿAmr bin Baḥr… …   Deutsch Wikipedia

  • AMR — Die Abkürzung AMR steht für: Academy of Management Review, Fachzeitschrift der Betriebswirtschaftslehre Adaptive Multi Rate ist ein Set von Sprachcodecs, die u. a. im Mobilfunk eingesetzt werden (Dateiendung: .amr) Anisotroper magnetoresistiver… …   Deutsch Wikipedia

  • Magnetoresistiver Effekt — Als magnetoresistive Effekte bezeichnet man alle Effekte, die die Änderung des elektrischen Widerstands eines Materials durch Anlegen eines äußeren Magnetfeldes beschreiben. Dazu gehören insbesondere der anisotrope magnetoresistive Effekt (AMR… …   Deutsch Wikipedia

  • Anisotroper magnetoresistiver Effekt — Der anisotrope magnetoresistive Effekt, kurz AMR Effekt, ist der am längsten bekannte magnetoresistive Effekt und wurde 1857 durch William Thomson, 1. Baron Kelvin entdeckt. Er beruht auf anisotroper (von der Raumrichtung abhängiger) Streuung in… …   Deutsch Wikipedia

  • TMR-Effekt — Magnetischer Tunnelkontakt (schematisch) Der magnetische Tunnelwiderstand (engl. Tunnel Magneto Resistance, Abk: TMR) ist ein magnetoresistiver Effekt, der in magnetischen Tunnelkontakten auftritt. Dabei handelt es sich um ein Bauelement… …   Deutsch Wikipedia

  • GMR-Effekt — Spin valve GMR Ergebnisse von Fert et al. Der GMR Effekt …   Deutsch Wikipedia

  • CMR-Effekt — Der Kolossale Magnetoresistive Effekt (CMR Effekt) (engl. Colossal Magneto Resistance) ist eine physikalische Anomalie, bei der sich der elektrische Widerstand einiger Materialien bei Anwesenheit eines Magnetischen Feldes massiv verändert. Das… …   Deutsch Wikipedia

  • Magnetoresestive Effekte — Als magnetoresistive Effekte bezeichnet man alle Effekte, die die Änderung des elektrischen Widerstands eines Materials durch Anlegen eines äußeren Magnetfeldes beschreiben. Dazu gehören insbesondere der anisotrope magnetoresistive Effekt (AMR… …   Deutsch Wikipedia

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”