AlGaAs

Aluminiumgalliumarsenid (AlxGa1−xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu der gleichen Gitterkonstante wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke. Der Aluminiumanteil x kann zwischen 0 und 100 % variieren, wodurch die Bandlücke zwischen 1,42 eV (GaAs) und 2,16 eV (AlAs) eingestellt werden kann. Für x < 0,4 liegt eine direkte Bandlücke vor, ansonsten besteht eine indirekte Bandlücke.

Die ternäre Verbindung AlGaAs ist ein sehr wichtiges Materialsystem in der Grundlagenforschung und industriellen Anwendung. Wegen der von der Zusammensetzung nahezu unabhängigen Gitterkonstante ist es mit epitaktischen Methoden wie der Molekularstrahlepitaxie oder der metallorganischen Gasphasenepitaxie (engl.: metal organic vapor phase epitaxy, MOVPE) möglich, unverspannte Halbleiter-Heterostrukturen herzustellen.

Die Möglichkeit, die Bandlücke in verschiedenen Bereichen verschieden zu gestalten, ist die Grundlage für elektronische Bauelemente wie Diodenlaser, Leuchtdioden, Heterojunction Bipolartransistoren (HBT) und High Electron Mobility-Transistoren (HEMT).

Die Formel AlGaAs wird als Kurzbezeichnung benutzt, wenn der Aluminiumgehalt unbestimmt ist.

Weblinks


Wikimedia Foundation.

Schlagen Sie auch in anderen Wörterbüchern nach:

  • AlGaAs — Arséniure de gallium aluminium Arséniure de gallium aluminium Général Nom IUPAC Arséniure de gallium aluminium Propriétés chimiques Formule brute AlxGa …   Wikipédia en Français

  • ALGAAS — Aluminum Gallium Arsenide (Academic & Science » Electronics) …   Abbreviations dictionary

  • AlGaAs — Aluminium Gallium Arsenid dotierte Legierung für Halbleiter …   Acronyms

  • AlGaAs — Aluminium Gallium Arsenid dotierte Legierung für Halbleiter …   Acronyms von A bis Z

  • Qwip — Le QWIP (Quantum Well Infrared Photodetector : en français, « photodétecteur infrarouge à puits quantiques ») est un détecteur de rayonnement infrarouge. La gamme de longueurs d onde couverte en 2007 s étend de 3 µm à plus de 30 µm …   Wikipédia en Français

  • QWIP — Le QWIP (Quantum Well Infrared Photodetector : en français : « photodétecteur infrarouge à puits quantiques ») est un détecteur de rayonnement infrarouge. La gamme de longueurs d onde couverte en 2007 s étend de 3 µm à plus de …   Wikipédia en Français

  • Арсенид алюминия-галлия — Арсенид алюминия галлия …   Википедия

  • HEMT — Der High Electron Mobility Transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines JFETs.… …   Deutsch Wikipedia

  • High Electron Mobility Transistor — Der High Electron Mobility Transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines JFETs.… …   Deutsch Wikipedia

  • Transistores HEMT — Sección de un transitor pHEMT de composición GaAs/AlGaAs/InGaAs Los HEMT, acrónimo del inglés High electron mobility transistor (Transistor de alta movilidad de electrones), también conocidos como HFET, acrónimo de Heterostructure FET (FET de… …   Wikipedia Español

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”