Indiumphosphid
Kristallstruktur
Struktur von Indiumphosphid
__ In3+     __ P3−
Allgemeines
Name Indiumphosphid
Andere Namen

Indium(III)-phosphid

Verhältnisformel InP
CAS-Nummer 22398-80-7
Kurzbeschreibung

dunkelgrauer Feststoff[1]

Eigenschaften
Molare Masse 145,79 g·mol–1
Aggregatzustand

fest

Dichte

4,79 g·cm–3[2]

Schmelzpunkt

1070 °C[2]

Löslichkeit

praktisch unlöslich in Wasser[1]

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung [1]
08 – Gesundheitsgefährdend

Achtung

H- und P-Sätze H: 351
EUH: keine EUH-Sätze
P: 201-​302-​281-​308+313-​405-​501Vorlage:P-Sätze/Wartung/mehr als 5 Sätze [1]
EU-Gefahrstoffkennzeichnung [2]
Gesundheitsschädlich
Gesundheits-
schädlich
(Xn)
R- und S-Sätze R: 40
S: 36/37
MAK

aufgehoben, da cancerogen[1]

Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

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Indiumphosphid ist eine Halbleiterverbindung aus der Gruppe der binären III-V-Verbindungshalbleiter, die in der Hochfrequenztechnik (wobei Frequenzen bis zu 150 GHz angestrebt werden) für Laser für die dämpfungsarme langreichweitige Datenkommunikation um 1550 nm über Glasfaserkabel und in der Hochleistungselektronik eingesetzt wird. Grund für diese Einsatzbereiche ist die gegenüber Silicium sehr hohe Beweglichkeit der Elektronen im Gitter. Indiumphosphid besitzt eine direkte Bandlücke, wodurch die Verbindung für Laserdioden, LEDs, Detektoren und andere elektrooptische Anwendungen gut geeignet ist. Weiterhin eignet sich Indiumphosphid als Basismaterial für photonische Kristalle.

Inhaltsverzeichnis

Vorkommen

Indiumphosphid ist eine künstlich hergestellte Verbindung. Von den beiden Bestandteilen ist Indium, im Gegensatz zum Phosphor, ein seltenes Element dessen derzeit bekannten Lagerstätten um 2015 (Stand 2005, siehe Indium) erschöpft sein werden.

Gewinnung und Darstellung

InP basierte Bauelementschichten werden derzeit in der Regel auf InP Substraten, die als Einkristalle hergestellt werden, mittels der metallorganischen Gasphasenepitaxie gewachsen. Seltener kommen auf der Molekularstrahlepitaxie basierende Verfahren zum Einsatz mit denen sich reinere Schichten und hochwertigere Grenzflächen realisieren lassen.

Eigenschaften

Die temperaturabhängige Bandlücke hat bei 300 Kelvin (26 °C) einen Wert von 1,34 eV.[3]

Sicherheitshinweise

Indiumphosphid ist potentiell krebserregend.[4]

Siehe auch

Einzelnachweise

  1. a b c d e Eintrag zu Indiumphosphid in der GESTIS-Stoffdatenbank des IFA, abgerufen am 23. August 2007 (JavaScript erforderlich).
  2. a b c Datenblatt Indiumphosphid bei AlfaAesar, abgerufen am 6. Februar 2010 (JavaScript erforderlich).
  3. Physikalische Eigenschaften von Indiumphosphid (engl.)
  4. Vorschläge für die Erweiterung der MAK-Liste

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