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Henrik Schumacher
CMOS
Aubau
FEOL
BEOL
Back end
Front end
Advanced packaging
Auschnitt einer CMOS-Struktur (Schema), die mit in den 2000ern üblichen Fertigungstechniken hergestelllt wurde. Dargestellt werden NMOS- und PMOS-Transistoren mit Kontaktanschlüssen aus Wolfram sowie 5 Metallisierungsebenen aus Kupfer.
Deutsch
CMOS-Struktur in den 2000ern
Dezember 2006
FEOL
Back-End /"Advanced Packaging"
BEOL
Cr-, Cu- und Au-Schale
Blei-freierLötkontakthügel
Poly-Si-Gate
STI
p-Wanne
USG
Wolfram
Buried SiO2
p-Siliciumwafer
n-Wanne
USG
SOD
SOD
Cu1
PSG
SiN-Barriere-schicht
CoSi2
SiC-Sperrschicht
PE-TEOS
Cu 2
SiC-Ätzstoppschicht
Ta/TaN-Barriereschicht
SiN-Sperrschicht
Schutzschicht (Nitrid oder Oxid)
PSG
Cu 5
SOD
SOD
n-Si
n-Si
p-Si
p-Si
Cu 4
Cu 4
Cu 4
Cu 5
SiC-Ätzstoppschicht
Spacer
Front-End
Cu 3
Cu 2
Cu 2
Legende:
Silicium (Si)
Polysilicium (Poly-Si)
Kobaltdisilicium (CoSi2)
Siliciumdioxid (TEOS-Oxid)
n-Si
p-Si
Spin-On-Dielektrikum
Phosphor-Silikatglas (PSG)
Wolfram (W)
Kupfer (Cu)
Siliciumnitrid (SiN)
Siliciumnitrid (SiN)
Siliciumcarbid (SiC)
undotiertes Silikatglass (USG, SiO2)